SIPLUS CPU 1215C
Показать:
Сортировка:
SIPLUS S7-1200 CPU 1215C DC/DC/DC -40 ... +70 DEGREES C WITH CONFORMAL COATING BASED ON 6ES7215-1AG3..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200 CPU 1215C DC/DC/DC WITH CONFORMAL COATING BASED ON 6ES7215-1AG31-0XB0 . COMPACT CPU, ..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200 CPU 1215C DC/DC/DC -40 ... +60 DEGREES C WITH CONFORMAL COATING BASED ON 6ES7215-1AG3..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200 CPU 1215C AC/DC/RLY -40 ... +70 DEGREES C WITH CONFORMAL COATING BASED ON 6ES7215-1BG..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200 CPU 1215C AC/DC/RELAY FOR MEDIAL STRESS WITH CONFORMAL COATING BASED ON 6ES7215-1BE31..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200 CPU 1215C AC/DC/RLY -40 ... +60 DEGREES C WITH CONFORMAL COATING BASED ON 6ES7215-1BG..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200 CPU 1215C DC/DC/RLY -40 ... +70 DEGREES C WITH CONFORMAL COATING SIGNAL BOARD USEABLE..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200 CPU 1215C DC/DC/RLY FOR MEDIAL STRESS WITH CONFORMAL COATING BASED ON 6ES7215-1HG31-0..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200 CPU 1215C DC/DC/RLY -40 ... +60 DEGREES C WITH CONFORMAL COATING SIGNAL BOARD USEABLE..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200 СИГНАЛЬНАЯ ПЛАТА SB1223 2DI/2DO ДЛЯ ТЯЖЁЛЫХ УСЛОВИЙ ПРИМЕНЕНИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕ..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200, СИГНАЛЬНАЯ ПЛАТА SB1223 2DI/2DO, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬС..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200 СИГНАЛЬНАЯ ПЛАТА SB1232 1AO ДЛЯ ТЯЖЁЛЫХ УСЛОВИЙ ПРИМЕНЕНИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ НА..
Цена:
по запросу
SIPLUS S7-1200, СИГНАЛЬНАЯ ПЛАТА SB1232 1AO, -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, C КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОС..
Цена:
по запросу
SIMATIC S7-1200, СИГНАЛЬНАЯ ПЛАТА ДИСКРЕТНОГО ВВОДА/ВЫВОДА SB 1221, 4DI, 5В 200КГЦ
..
Цена:
по запросу
SIMATIC S7-1200, СИГНАЛЬНАЯ ПЛАТА ДИСКРЕТНОГО ВВОДА/ВЫВОДА SB 1221, 4DI, 24В 200КГЦ
..
Цена:
по запросу
CPU 1215C характеризуется следующими показателями:
- 3 версии приборов с различными видами и уровнями напряжений питания, входного и выходного напряжения.
- Встроенный блок питания с входным напряжением постоянного или переменного тока (~85 ... 264 В или =24 В)
- Встроенный блок питания =24 В:
Для непосредственного подключения датчиков или нагрузки. Ток нагрузки до 400 мА - 14 встроенных дискретных входов =24 В с любой, но одинаковой для каждой группы полярностью. Входная характеристика IEC типа 1.
- 10 встроенных дискретных выходов на базе транзисторных ключей (=24 В) или реле.
- 2 встроенных аналоговых входа 0 ... 10 В.
- 2 встроенных аналоговых выхода 0 ... 20 мА.
- 4 импульсных выхода (PTO) для формирования последовательностей импульсов, следующих с частотой до 100 кГц (в моделях с транзисторными выходами).
- Возможность перевода импульсных выходов в режим широтно-импульсной модуляции (PWM) с частотой следования имульсов до 100 кГц.
- 2 встроенных интерфейса Ethernet (TCP/IP, ISO-on-TCP).
- 6 скоростных счетчиков (3x 100 кГц + 3х 30 кГц) с настриваемыми входами разрешения работы и сброса, одновременной поддержкой режимов суммирующего или вычитающего счета с использованием двух отдельных входов и возможностью подключения инкрементальных датчиков.
- Расширение дополнительными коммуникационными интерфейсами. Например, RS485 или RS232.
- Расширение дополнительными каналами ввода или вывода дискретных или аналоговых сигналов с помощью сигнальной платы без изменения установочных размеров центрального процессора.
- Расширение дополнительными каналами ввода или вывода дискретных или аналоговых сигналов с помощью сигнальных модулей.
- Опциональное использование карты памяти SIMATIC Memory Card.
- ПИД регулятор с функциями автоматической оптимизации.
- Встроенные часы реального времени.
- Входы прерываний:
для получения минимального времени реакции на нарастающие или спадающие фронты входных дискретных сигналов. - Съемные терминальные блоки для подключения внешних цепей на всех типах модулей.
- Опциональный имитатор:
для имитации изменения входных дискретных сигналов при отладке программы.
|
Модели приборов |
||||
|---|---|---|---|---|
|
Версия |
Напряжение питания |
Входное напряжение DI |
Выходное напряжение DO |
Выходной ток DO |
|
=24 В |
=24 В |
=24 В |
0.5 A, транзистор |
|
=24 В |
=24 В |
=5 … 30 В/ |
2 A; |
|
~85 … 264 В |
=24 В |
=5 … 30 B/ |
2 A; |